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原子层沉积技术以精准控制薄层厚度，均匀性，保型性而著称，广泛应用于集成电路（IC）行业，它使得电子器件持续微型化成为可能，逐渐成为了微电子器件制造，半导体领域的必要技术。例如用于制备晶体管栅堆垛、刻蚀终止层。
紧凑型原子层沉积系统，系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜。（可沉积氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）
应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。带有加热腔壁及屏蔽层，非常方便腔体的清洁。该系统拥有一个载气舱包含4个50ml的加热源，用于前驱体以及反应物，同时带有N2作为运载气体的快脉冲加热传输阀。
前可用ALD原子层沉积设备沉积的薄膜有：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物 : ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
可沉积的种类分为：
单 质：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3,SrTaO6…
ALD原子层沉积设备特点
· 不均匀性低于1%；
· 阳极氧化铝腔体；
· 小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量；
· 最大可支持4英寸的基片；
· 最多支持4路50cc/100cc前驱体源；
· 高深宽比结构的保形生长。
技术参数
设备尺寸：800X800X495mm
4英寸及以下兼容基片
3D 复杂表面衬底
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
样品加热50-260℃，精度±1℃
前驱体及管路：液态、固态、气态，加热温度室温~180℃
标准设备验收标准为 Al2O3 工艺
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