高压VGF单晶炉是制备II一VI族和III一V族化合物半导体材料的关键设备。主要应用于半导体磷化铟(nP)、磷化镓(GaP)等材料的单晶生长。
高压VGF单晶炉设备特点
■ 高压炉体采用无缝碳钢钢管制造,品牌压力容器资质厂家设计生产,可承受5倍工艺压力,并有减压阀,在超过6MPa时自动降压,降压口气体做隔氧处理。
■ 炉体底部有水冷降温结构,可以增强坩埚支撑结构的导热,利于晶体生长。
■ 炉体设备有吸震机构,可以有效把电阻丝通大电流时的震动有效减除,有利于层错能弱的晶体生长。
■ 炉体支架装有手动调节系统,方便装取料时对炉体的调节。
■ 增压系统采用进口增压泵、压力平衡控制系统、氮气瓶组成。精度高,反应灵敏,可编程工艺增压与减压。并设有压力极限报警。
■ 高精度温度控制系统,提升工艺成品率。
技术参数
炉体结构 | 高压立式单管状腔体 |
适用单晶尺寸 | Ф3″(可定制) |
加热温区段数 | 6段(可定制) |
显示及监控段数 | 6段 |
控制方式 | 微机控制 |
炉体最高工作温度 | 1250℃ |
温度稳定性 | 优于0.2℃ |
生长过程降温超调 | 优于0.2℃ |
温度显示精度 | 0.1℃ |
温度控制精度 | ±0.1℃ |
相邻控温热偶可设定温度差 | 0-3℃/cm |
压力控制 | PID闭环控制 |
使用压力 | 3MPa |
腔体最高耐压 | 15MPa |
增压泵压力范围 | 0-7MPa |