VTM单晶炉是依据我公司自主研发的VTM工艺方法所设计的新型单晶工艺设备, 设备由加热系统、运动系统支撑机构、电控系统四部分组成,适用碲锌镉、碲化镉、锑化镓等多种化合物半导材料的单晶生长。
VTM单晶炉设备特点
■ 晶体生长界面引入磁力控制,稳定晶体生长方向,提高了单晶成品率;
■ 整机的机械运动及加热系统采用PC控制,菜单数据可输入,历史数据可查询,具有声、光报警,生产重复性高;
■ 加热系统分主加热装置和辅助加热装置。主加热控制整体温度。辅助加热可移动。实现局部加热的高精度,加强了温场的可控性;
■ 运动系统采用一键式控制。既满足装炉时的快速升降,又可以精确控制晶体生长时炉体的缓慢行程速度,大大提高生产效率;
■ 支撑机构采用分体式设计,保障稳定性同时有效阻隔了震动,提高单晶生长的质量及成品率;
■ 采用刚性传动机构,传动效率高,稳定性强。
技术参数
适用炉体范围 | 2~6英寸 |
炉体结构 | 立式单管状 |
控制方式 | 微控 |
炉体极限工作温度 | 1350℃ |
温度显示精度 | 0.1℃ |
温度控制精度 | 优于±0.2 |
炉体动作模式 | 立式升降/左右旋转 |
炉体升降行程 | L有效=620mm |