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依托半导体高端设备研制,通过半导体高端设备、真空技术两个板块,建立电子装备的产业化经营格局
  •  VTM单晶炉

VTM单晶炉

主要应用于碲锌镉、碲化镉、锑化铟等多种化合物半导体材料的单晶生长

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VTM单晶炉是依据我公司自主研发的VTM工艺方法所设计的新型单晶工艺设备, 设备由加热系统、运动系统支撑机构、电控系统四部分组成,适用碲锌镉、碲化镉、锑化镓等多种化合物半导材料的单晶生长。


VTM单晶炉设备特点

■  晶体生长界面引入磁力控制,稳定晶体生长方向,提高了单晶成品率;

■  整机的机械运动及加热系统采用PC控制,菜单数据可输入,历史数据可查询,具有声、光报警,生产重复性高;

■  加热系统分主加热装置和辅助加热装置。主加热控制整体温度。辅助加热可移动。实现局部加热的高精度,加强了温场的可控性;

■  运动系统采用一键式控制。既满足装炉时的快速升降,又可以精确控制晶体生长时炉体的缓慢行程速度,大大提高生产效率;

■  支撑机构采用分体式设计,保障稳定性同时有效阻隔了震动,提高单晶生长的质量及成品率;

■  采用刚性传动机构,传动效率高,稳定性强。


技术参数

适用炉体范围2~6英寸
炉体结构立式单管状
控制方式微控
炉体极限工作温度1350℃
温度显示精度0.1℃
温度控制精度优于±0.2
炉体动作模式立式升降/左右旋转
炉体升降行程L有效=620mm