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依托半导体高端设备研制，通过半导体高端设备、真空技术两个板块，建立电子装备的产业化经营格局
主要应用于碳化硅、氮化铝单晶生长，6、8英寸SIC晶体生长
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SIC单晶炉是针对碳化硅单晶生长专用工艺设备，也可用于氮化铝的单晶生长工艺。
SIC单晶炉设备特点
■ 设备采用高频电源感应加热、水冷感应线圈，水冷箱及高温密封，并具备对生长室内的高真空度进行检测、温度的精确测量、加热过程的程序化控制，石墨坩埚与感应加热线圈之间相对位置的调节以及Ar等多种气体的定量定压供给等功能，使设备在冷却、隔热和抗电磁辐射等方面有着非常好的效果；
■ 设备为晶体生长提供一个理想的工艺环境条件，保证SiC晶体的稳定生长；
■ 设备可以有效的避免加热装置对晶体的污染，同时也相对增加了工作空间。
技术参数
| 加热温度 | 最高温度2500°C |
| 高周波电源 | 50kw，7-15KHz |
| 温度测量 | 利用上下红外放射温度计测温 |
| 控制方式 | 线圈电流控制(ACC)、放射温度计控制(ATC) |
| 温度控制精度 | 手动方式 |
| 气氛 | 士0.1%FS(ACC)、2500 °C士5 °C (ATC) |
| 极限圧力 | 真空、Ar 、N2 |
| 圧力控制范围 | 1.33x 10-3Pa (常温空妒时) (133～101) x105 Pa士0.1%FS， 低圧侧 1.0～100.0士0.1 Torr， 高圧侧100～760士5 Torr |
